IGBT行業(yè)深度報告：新能源驅(qū)動需求快速增長 國產(chǎn)替代迎來換擋加速
IGBT兼具MOSFET輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關速度快和BJT通態(tài)電流大、導通壓降低、損耗小等優(yōu)點，被廣泛應用在工業(yè)控制、新能源汽車、光伏風電、變頻白電、智能電網(wǎng)以及軌道交通等領域。隨著各個下游的快速發(fā)展，我們預計2025年中國IGBT市場空間將達到601億元，CAGR高達30 ％。其中，增速最快的細分市場是新能源汽車IGBT，預計2025年我國新能源汽車的IGBT需求將達到387億元，CAGR高達69％。
從市場格局上來看，外資IGBT廠商業(yè)務起步較早，先發(fā)優(yōu)勢明顯，因此形成了當前IGBT市場被德國、日本和美國企業(yè)壟斷的格局。目前全球IGBT前五大玩家為英飛凌、三菱、富士電機、安森美和賽米控，其中英飛凌在各個細分市場中都有較大的領先優(yōu)勢。與此同時，本土IGBT企業(yè)也在快速進步，技術上逐漸實現(xiàn)對國外領先企業(yè)的追趕，且在客戶服務方面更具優(yōu)勢，能快速響應下游客戶的需求，并且產(chǎn)品價格上相比于外資也有一定優(yōu)勢，有利于下游客戶的降本。在目前IGBT下游快速發(fā)展，行業(yè)供需持續(xù)緊張的階段，國產(chǎn)替代將迎來機會，優(yōu)秀的本土IGBT企業(yè)有望在這一輪的行業(yè)快速發(fā)展中脫穎而出。
碳化硅作為第三代半導體材料的代表具有優(yōu)異的性能，基于其制成的功率器件相比于傳統(tǒng)的硅基器件具有耐高壓、耐高溫、工作頻率高、能量損耗低等優(yōu)勢。在車載領域，目前各大主機廠為了提高補能速度紛紛布局800V高壓平臺，高壓平臺的到來將推動碳化硅器件在車載領域的應用，尤其是主驅(qū)逆變器中采用碳化硅模塊是電驅(qū)系統(tǒng)升級的核心。未來隨著碳化硅器件的持續(xù)降本，與硅基器件的價差將逐漸縮小，其在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)中的滲透率將持續(xù)提升。
投資建議：目前下游新能源汽車和新能源發(fā)電等領域持續(xù)快速發(fā)展，IGBT行業(yè)持續(xù)維持高景氣度；此外國內(nèi)IGBT廠商加速國產(chǎn)替代，快速切入下游主機廠供應體系。推薦車規(guī)級IGBT模塊及碳化硅功率器件企業(yè)斯達半導（603290.SH），建議關注時代電氣（688187.SH）和士蘭微（600460.SH）等相關上市公司。
風險提示：下游新能源汽車、新能源發(fā)電等行業(yè)的發(fā)展不及預期；IGBT行業(yè)國產(chǎn)替代進程不及預期；碳化硅行業(yè)發(fā)展不及預期；行業(yè)競爭加劇。
