接觸汽車電子行業的人都知道，IGBT模塊是控制電動車加速時電流輸出和制動時電流輸入的核心部件能量反饋。什么是IGBT？IGBT是絕緣雙極晶體管的簡稱，是由雙極晶體管（BJT）和金屬氧化物半導體（絕緣柵場效應晶體管）組成的復合全控電壓驅動功率半導體器件。它具有高輸入阻抗和低GTR開關電壓的優點。它非常適用于直流電壓600V及以上的逆變器系統，如交流電機、逆變器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT模塊是由IGBT和FWD續流二極管芯片通過特定的電路橋封裝而成的一種模塊化半導體產品。封裝的IGBT模塊直接應用于逆變器、ups等設備；IGBT模塊具有節能、安裝維護方便、散熱穩定等特點。目前市場上大部分產品都是這樣的模塊化產品，IGBT一般指IGBT模塊；隨著節能環保理念的推廣，這類產品在市場上會越來越普遍。
在IGBT模塊封裝之前，先將IGBT芯片和二極管芯片用焊盤焊接在DBC基板上，然后將DBC芯片與芯片結合，再進行二次焊接。在這個過程中，為了防止子單元被氧化，對焊接的子單元進行清洗，然后通過設備將子單元、電極、焊盤和環焊接在Al-Si-SiC散熱基板上。
二次焊接工藝對IGBT孔隙率的影響因素。
1、焊料
當前的焊盤和環形焊接材料含有錫、鉛、銀，并且沒有助焊劑，以確保焊料在焊接前不被氧化。
2、焊接溫度
在焊接過程中，可根據焊料的熔點溫度選擇合適的焊接溫度，焊接溫度完全按照標準工藝文件設定。
3、冷卻速度
冷卻過程中要特別注意冷卻速度。特別是在焊料結晶點附近，當溫度下降過快時，會導致焊料成形不均勻；當冷卻速度過慢時，會導致氣孔增大，從而影響焊料質量。因此，在實際操作中，必須按照標準工藝文件的要求設定速度，以免影響焊料的孔隙率。
