為降低電源系統的耗電量、縮小其體積做出貢獻
開始發售功率半導體「1200V SiC-SBD」
近日，三菱電機株式會社發布了1200V Si-SBD(碳化硅肖特基二極管)，該產品有利于降低太陽能發電系統、EV充電器等系統的損耗和體積。預計將于2019年6月提供樣品，2020年1月開始發售。本產品將在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(4月17日～19日于日本幕張舉行), “PCIM Europe2019展”(5月7～9日于德國紐倫堡舉行), “PCIM※1 Asia2019展”(6月26～28日于中華人民共和國上海舉行)上展出。
※1 Silicon Carbide：碳化硅
※2 Schottky Barrier Diode：肖特基勢壘二極管
新產品的特點
1.通過采用SiC，有利于降低系統損耗和體積
?通過使用SiC大幅降低開關損耗，降低約21%的電力損耗※3
?實現高速開關，有利于縮小電抗器等配套零部件的體積
※3 與內置PFC電路的三菱電機產品功率半導體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si(硅)二極管相比
2.通過采用JBS結構，提高可靠性
?采用pn結與肖特基結相結合的JBS※4結構
?通過JBS結構提高浪涌電流耐量，從而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky
3.由5個產品構成的產品陣容可對應各種各樣的用途
?除了通常的TO-247封裝外，還采用了擴大絕緣距離的TO-247-2封裝
除民用品外還可對應工業等各種各樣的用途
?產品陣容中還包括符合AEC-Q101※5的產品(BD20120SJ)，也可對應車載用途
※5 Automotive Electronics Council：車載電子零部件質量規格
發售概要
銷售目標
近年來，出于節能環保的考慮，人們對能夠大幅降低電力損耗或利用SiC實現高速開關的功率半導體的期待逐漸高漲。三菱電機自2010年起陸續推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半導體模塊，廣泛應用于空調以及工業機械、鐵路車輛的逆變器系統等，為降低家電及工業機械的耗電量，縮小其體積和重量做出了貢獻。
在這一背景下，此次將發售采用了SiC的功率半導體“SiC-SBD”。在電源系統中應用“SiC-SBD”，將為降低客戶的系統耗電量，縮小體積做出貢獻。
本產品的開發得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。
※6 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬酸化膜半導體製の電界効果トランジスタ
主要規格
※7 8.3msec, sine wave
SiC-SBD系列的產品陣容
粗框內為本次的新產品。
