36氪獲悉，分離式氮化鎵柵極驅動芯片及增強型氮化鎵晶體管研發公司成都氮矽科技有限公司（以下簡稱“氮矽科技”）宣布獲得千萬級天使輪融資，由率然投資領投，鼎青投資跟投。創始人羅鵬表示，公司驅動及晶體管產品已完成流片、封裝及應用搭建，正在進行客戶導入，預計在年底前推出搭載其首款分離式高速氮化鎵柵極驅動芯片以及氮化鎵晶體管的快充產品，此次融資除了用于研發外，還將支持市場導入及銷售。
氮化鎵作為替代硅用于芯片制造的新興材料，目前已經在快充市場呈現規模化應用。
與傳統硅材料相比，氮化鎵芯片尺寸更小、能夠承受的開關頻率更高、功率密度大大增加。在CES 2019上，Aukey、MuOne、RavPower等廠商就已發布了多款GaN快充頭，其中的芯片均采用了Navitas研發的氮化鎵芯片 NV6115。隨后，小米、OPPO也陸續發布了采用氮化鎵的快充產品，在此之后，國內需求將快速增長，目前市場上有超過150款氮化鎵PD快充上市，市場規模已經達到約10億元人民幣的體量。
在氮化鎵芯片的設計、研發環節，國外廠商長期處于較領先地位。當前行業龍頭是2014年在美國成立的Navitas，其單片集成式的氮化鎵芯片是全球首款成功導入市場的產品，在業內處于絕對優勢。
但從技術路線上看，Navitas所代表的單片集成式氮化鎵芯片只是其中一種，還有以TI為代表的系統集成式芯片，以及分離式芯片。不同技術路線下芯片的性能及對應的應用場景都有所不同，因此，氮化鎵芯片市場依舊存在很多空白領域，這吸引了很多技術實力較強的創業公司入局。
國內目前在氮化鎵領域擁有獨立設計能力的fabless公司數量依然稀少，人才及產業鏈尚不完備。氮矽科技是由一批此前在海外從事相關研發的專家、高管歸國組建。公司于2019年4月成立，團隊采用分離式的技術路線開發國內首款高速氮化鎵柵極驅動芯片及氮化鎵晶體管，計劃年底從快充市場切入后，逐漸擴展到其他應用場景。
關于為什么采取分離式技術路線，創始人羅鵬表示：盡管當前消費電子類芯片正逐漸走向集成化，并且以Navitas、PI等巨頭所代表的集成式芯片已出現規模化落地，但這并不代表集成式是最優解。其中一個明顯弊端就是——集成式芯片限制了應用擴展的能力，首先是芯片的開關頻率只適合消費電子類產品；其次，由于氮化鎵升溫較快，因此系統級集成需要給驅動附加多種保護措施，這又進一步限制了應用擴展性。相比之下，分離式是傳統的基于硅的芯片的常見制式，其發展時間最久，替換成氮化鎵之后，分離式的芯片開關可調可控，靈活度更高，便于在應用端做改進。此外，當功率升高時，分離式的芯片的穩定性、安全性也會更高。
從商業化的角度上看，當前以Navitas為代表的集成式氮化鎵芯片主要應用在快充市場，但其市場規模依舊有限，而分離式氮化鎵芯片由于可操作性更強，更便于在其他應用場景落地，從而實現大規模量產。
目前，氮矽科技已研發出三款產品：分離式高速氮化鎵柵極驅動芯片（DX1SE-A）、650V增強型氮化鎵MOSFET、氮化鎵功率IC （DX2SE65A150）。產品將首先落地在快充市場，公司計劃前期通過已有應用方案直接對目標客戶完成銷售。
關于其他應用場景，創始人羅鵬表示，氮化鎵芯片在工業級市場還是一片藍海，照明電源、LED驅動、通信電源、基站電源、充電樁、數據中心等都存在需求，不過工業級產品相對消費級的安全性、可靠性要求更高，這也是目前業內公司都在努力研發的領域，挑戰難度也很高。
氮矽科技創始人羅鵬為德國勃蘭登堡州科技大學碩士，博士與博士后就職于德國柏林費迪南德布朗-萊布尼茨研究所，精通氮化鎵器件物理特性，有超過5年第三代半導體氮化鎵IC的研發工作經驗。公司董事長David French 從事半導體行業超過40年，2001年起積極投身中國半導體行業，就職于行業中多家公司董事會。總經理Jesse Parker（白杰先）曾任軟銀國際基金執行副總裁、IBM微電子部門執行副總裁 、先進半導體制造有限公司獨立董事、 DEC 個人電腦部門副總裁，現任高瞻股權投資（廣東）有限公司董事長、矽能科技總經理，辦過乾龍創業投資基金、長沙咨詢有限公司等。
