6月28日，在上海舉行的2020中國IC領袖峰會暨中國IC設計成就獎頒獎典禮傳來喜訊，基本半導體車規級全碳化硅功率模塊BMB200120P1榮獲2020年度中國IC設計成就獎之功率器件獎項!
中國IC設計成就獎是中國電子業界最重要的技術獎項評選活動之一，由Aspencore旗下《電子工程專輯》、《電子技術設計》和《國際電子商情》聯合主辦，通過對中國的IC設計公司進行年度產業現狀調查，評選和表彰優秀的IC設計公司、半導體前端制造、EDA工具和IP服務公司。最終結果由電子工程師、資深分析師和半導體業內人士投票評選產生，獎項和獲獎者代表著行業的最高水準。基本半導體此次榮登榜單，代表公司研發實力和技術創新能力再次得到業界的肯定和認可。
基本半導體自成立以來，致力于碳化硅功率器件的研發及產業化，自主研發高性能、高可靠性的碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET和車規級全碳化硅功率模塊產品。此次獲獎的車規級全碳化硅功率模塊BMB200120P1針對新能源汽車主逆變器設計，采用業內主流的單面水冷散熱形式，為高效電機控制器設計提供便利。基于基本半導體最新的碳化硅MOSFET設計生產工藝，BMB200120P1在柵極電輸入電容、內部寄生電感、熱阻等多項主要參數上達到業內領先水平。
在中美科技冷戰和全球新冠疫情的大變局下，中國半導體產業的發展面臨極大的挑戰和難得的機遇。作為快速成長的中國半導體企業，基本半導體將繼續加大對碳化硅功率器件的自主研發投入，不斷深化技術、產品和管理的創新模式，積極推進第三代半導體的國產替代進程。
