江蘇能華的"科能芯"系列由在氮化鎵功率外延片、器件設計、工藝流程及封裝技術領域有著卓越專業貢獻一批同路人開創的，它還擁有世界最頂端水平的氮化鎵功率器件系統的研發、生產能力以及制造工藝。
外延片
CEESCH-GaN
厚的半絕緣GaN層基板材料和直徑的選擇。產品是適合加工肖特基氮化鎵整流器。
CEEFET-20AlGaN-NoSiN
GaN HEMT的結構與20%的AlGaN勢壘罪基板材料和直徑的選擇沒有任何原位鈍化層。此產品適用于處理HEMT的開關。
CEEFET-23AlGaN-NoSiN
GaN HEMT的結構與23%的AlGaN勢壘罪基板材料和直徑的選擇沒有任何原位鈍化層。此產品適用于處理HEMT的開關。
CEEFET-26AlGaN-NoSiN
GaN HEMT的結構與26%的AlGaN勢壘罪基板材料和直徑的選擇沒有任何原位鈍化層。此產品適用于處理HEMT的開關。
CEEFET-20AlGaN-SiN
GaN HEMT的結構與20%的AlGaN勢壘和原位氮化鈍化層基板材料和直徑的選擇。此產品適用于處理HEMT的開關。
CEEFET-23AlGaN-SiN
GaN HEMT的結構，23%的AlGaN勢壘和原位氮化鈍化層基板材料和直徑的選擇。此產品適用于處理HEMT的開關。
CEEFET-26AlGaN-SiN
GaN HEMT的結構與26%的AlGaN勢壘和原位氮化鈍化層基板材料和直徑的選擇。此產品適用于處理HEMT的開關
Custom
基板材料和直徑的選擇所需的氮化鎵，氮化鋁鎵和AlN層的組合組成的自定義的外延層。鐵或氮摻雜GaN緩沖層可以減少緩沖區漏電流。 Mg摻雜和含合金是目前無法使用。
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