10月25日，第十四屆“中國集成電路產業促進大會”在青島舉辦，現場揭曉了“中國芯”優秀產品征集結果，基本半導體車規級全碳化硅功率模塊（BMB200120P1）榮獲優秀技術創新產品獎。“中國芯”是國內集成電路產業的最高榮譽，被譽為我國集成電路設計業發展的風向標。
基本半導體董事長汪之涵博士（左起第五位）登臺領獎
基本半導體本次獲獎的車規級全碳化硅功率模塊，內部集成兩單元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅續流二極管。碳化硅MOSFET采用了最新的設計生產工藝，在柵極電輸入電容、內部寄生電感、熱阻等多項參數上達到業內領先水平。單模塊采用半橋拓撲結構，200A輸出電流能力可有效減少逆變器中功率器件數量，降低系統設計難度，提升系統可靠性，并使用了業內主流的單面水冷散熱形式，為高效電機控制器設計提供便利。
車規級全碳化硅功率模塊主要為新能源汽車應用設計，提升動力系統逆變器轉換效率、縮小體積、降低重量，進而提高新能源汽車的能源效率和續航里程。今年9月，青銅劍科技聯合基本半導體發布了基于上述車規級全碳化硅功率模塊的新能源汽車電機控制器解決方案，可實現最大功率150kW@800Vdc，最大工作開關頻率100kHz，輸入電壓范圍300～800Vdc，三相輸出電流240A，功率密度達30kW/L。
基于車規級全碳化硅功率模塊的新能源汽車電機控制器解決方案
基本半導體由清華大學、浙江大學、劍橋大學、瑞典皇家理工學院等國內外知名高校博士團隊創立，專注于碳化硅功率器件的研發與產業化，是中國第三代半導體行業領軍企業。基本半導體自主研發的650V~1200V/2A~40A全電流電壓等級碳化硅二極管、首款國產工業級1200V碳化硅MOSFET系列產品已實現量產并推向市場，車規級全碳化硅功率模塊已完成首批工程樣品并聯合國內一線主機廠開展測試，性能均達到國際先進水平，廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、智能電網等領域。
中國集成電路產業促進大會現場
“中國芯”優秀產品征集活動的成功舉辦，為國內集成電路設計企業提供了集中展示實力和信心的舞臺，推動國產芯片行業的自主創新，加快“中國芯”市場化、產業化的步伐。未來，基本半導體將再接再厲，以創新、專注的工匠精神，懷揣中國芯，追夢新時代！
