7月19日，據蓋世汽車報道，半導體制造商羅姆（ROHM）宣布推出集成650V耐壓、內置SiC肖特基勢壘二極管的Hybrid IGBT（混合型IGBT），即RGWxx65C系列（包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），并符合汽車可靠性標準AEC-Q101。新產品適用于處理大功率的汽車和工業應用，例如光伏電源調節器、車載充電器以及電動和電氣化汽車（xEV）中使用的DC/DC轉換器。
報道中還稱，RGWxx65C系列在IGBT的反饋單元（續流二極管）中采用了羅姆的低損耗SiC肖特基勢壘二極管，幾乎沒有恢復能量，因此可將二極管開關損耗降至最小。此外，由于在開啟模式下恢復電流不必由IGBT處理，因此顯著降低了IGBT的開啟損耗。當將該產品用于車載充電器時，在這兩種效應的共同作用下，其損耗與傳統IGBT相比降低67%，與超級結MOSFET（SJ MOSFET）相比降低24%，從而進一步提高性價比，并降低工業和汽車應用中的功耗。
據了解，前段時間羅姆（ROHM）舉辦了在線發布會，細致介紹了放大器和比較器的作用以及羅姆在這上面的布局。此外，羅姆還推出一款抗EMI性能非常出色的運算放大器“BD8758xYx-C”系列，新產品具備“EMARMOURTM系列”中超高的抗干擾性能，有助于減少異常檢測系統的設計工時并提高系統可靠性。
羅姆上海技術中心的FAE朱莎勤提到，影響運算放大器精度的參數包括輸入偏置電流，輸入失調電壓，以及等效輸入噪聲電壓，這些都是運算放大器自身的參數。通過優化這些參數，使傳感器系統的精度得以提高。
該產品已經于2021年5月份量產，同時該系列中還有4通道產品尚在開發中。羅姆稱，未來將會繼續擴大新產品陣容，并且還會將高抗干擾技術應用到電源IC等產品中，為進一步減少各種應用的設計工時和提高應用的可靠性貢獻力量。
